Подробно исследован эффект полного подавления сегнетоэлектричества малыми одноосными напряжениями сжатия в кристаллах ТМА-CoCl₄. Регистрация сегнетоэлектрических свойств проведена по данным измерения спонтанной поляризации P_s и аномальной компоненты диэлектрической проницаемости гхх. Установлено, что полное исчезновение сегнетоэлектрической фазы осуществляется при сжатии кристалла компонентами напряжений sigma_zz, sigma_yy и эффект практически отсутствует при сжатии компонентой sigma_xx (ось X|| P_s). Построены фазовые sigma_zz, T- и sigma_yy, T-диаграммы с критическими точками при (sigma_zz)_кр~= 17, (sigma_yy)_кр~= 25 кГ/cм². Дается сравнение результатов измерений с данными для кристалла ТМА-ZnCl₄.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.