Проведено исследование процессов, происходящих на поверхности кристаллов Cd_xHg_1-xTe, CdTe, InSb после воздействия на эти кристаллы импульсного магнитного поля (H_A =<sssim 10⁶ А/м). Показано, что результатом такого воздействия является изменение состояния поверхности исследуемых кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.