Предложен и апробирован метод исследования процессов переключения доменной структуры в сегнетоэлектрике Sn₂P₂S₆, обладающем фоторефрактивным эффектом. Метод основан па регистрации интенсивности двухволнового взаимодействия при изменении направления энергопереноса вследствие переполяризации кристалла в среде с нелокальным механизмом фоторефрактивной записи. Проведено сравнение с известными методами. Получена информация о динамике переключения доменов Sn₂P₂S₆ в слабых электрических полях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.