Рассмотрено образование несоразмерной фазы в полупроводниках. Показано, что освещение влияет на характеристики несоразмерной фазы путем изменения неравновесной концентрации электронов на уровнях прилипания. Проанализирована экспериментальная ситуация в Sn₂P₂(S_1-xSe_x)₆, особенностью которой является близость к трикритической точке и точке Лифшица. Это позволяет наблюдать при освещении резкое изменение температурной области существования несоразмерной фазы и генерацию несоразмерной фазы в системах, в которых она обычно не наблюдается. Предложен новый подход к описанию эффектов памяти в несоразмерной фазе, основанный на влиянии концентрации электронов на уровнях прилипания на фазовый переход. Показано, что при термостабилпзации в определенной температуре неоднородное распределение концентрации электронов на уровнях прилипания запоминается кристаллом и при последующем возвращении в эту температуру система вспоминает свое состояние.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.