В субмикронных слоях GaAs и AlGaAs выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, методами количественной растровой микроскопии исследованы овальные дефекты. По морфологическим признакам овальные дефекты классифицированы как alpha_3.4 (GaAs) и alpha₅ (AlGaAs). Установлено, что рост овальных дефектов стимулируется избытком Ga. На основании данных рентгеновского микроанализа показано, что количественное содержание элементов в овальных дефектах alpha_3,4, alpha₅ не отличается от содержания этих элементов в слое. Микрокатодолюминесцентные исследования и измерения в режиме наведенного тока обнаружили электрическую и рекомбинационную неоднородность, вносимую alpha_3,4-дефектами в слой GaAs. Показано, что alpha_3,4-дефекты являются активными геттерами Si, вводимого в качестве легирующей примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.