Вышедшие номера
Оптическое измерение диффузионной длины и скорости поверхностной рекомбинации электронов в слоях p-GaAs
Джиоев Р.И., Кавокин К.В.
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

Выполнен комплекс измерений кинетических параметров неравновесных электронов в слоях p-GaAs с использованием высокочастотной модуляции поляризации и интенсивности люминесценции фотоупругим кварцевым модулятором. При этом параметры, характеризующие пространственное распределение электронов в слое, определялись по зависимости отношения интенсивностей люминесценции в геометрии "на просвет" и "на отражение" от длины волны, а временные характеристики рекомбинации на поверхности и в объеме кристалла - по поляризации люминесценции в условиях оптической ориентации электронных спинов.