Выполнен комплекс измерений кинетических параметров неравновесных электронов в слоях p-GaAs с использованием высокочастотной модуляции поляризации и интенсивности люминесценции фотоупругим кварцевым модулятором. При этом параметры, характеризующие пространственное распределение электронов в слое, определялись по зависимости отношения интенсивностей люминесценции в геометрии "на просвет" и "на отражение" от длины волны, а временные характеристики рекомбинации на поверхности и в объеме кристалла - по поляризации люминесценции в условиях оптической ориентации электронных спинов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.