Исследовался энергетический спектр локализованных состояний в объеме и на поверхности a-Si : H и a-SiN_x : H методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. При калибровке интенсивности эмиссионного SiL_2,3-спектра (I_m) применялся метод постоянного фотоответа для определения концентрации Д-центров (N_d). Получена логарифмическая зависимость I_m= (N_d). Определены параметры пика Д-центров и ширины экспоненциальных хвостов Урбаха для всех исследуемых образцов, которые хорошо согласуются с результатами других методов. Показано, что метод ультрамягкой рентгеновской спектроскопии может быть использован для определения плотности локализованных состояний, образованных оборванными связями кремния в объеме и на поверхности a-Si : H.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.