Рассмотрено дифференциальное сечение комбинационного рассеяния света (КРС) флуктуациями спиновой плотности в многодолинных полупроводниках. Специфика релаксации спиновых флуктуаций в этих материалах определяется тем, что ось квантования спина не является свободной, а связана с осью симметрии долины. Конкретные формулы получены для некоторых, выделенных симметрией, направлений импульса, переданного при рассеянии. Рассмотрено также КРС в прямозонном полупроводнике n-InP, в котором ось квантования спина также не является свободной и ее направление зависит от направления квазиимпульса электрона. Проведенные исследования позволили дать объяснение недавних экспериментов по рассеянию света свободными носителями в n-InP.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.