Методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии исследованы чистые сколы поверхности сегнетоэластических монокристаллов CsDSO₄ и сегнетоэлектриков CsH₂PO₄ сразу после выкалывания, через несколько дней пребывания в атмосфера обезвоженного азота и после низкотемпературного отжига при 80^oC. Показано, что кристаллы являются достаточно совершенными с плотностью дислокаций в приповерхностных областях в интервале 8· 10⁴-3· 10⁵ см^-2, которая для CsDSO₄ зависит от времени вылеживания и процедуры отжига. В приповерхностных слоях неотожженных кристаллов CsDSO₄ зафиксирована значительная отрицательная деформация Delta d/d~ -10^-3. Обнаружено, что при отжиге в течение 2 ч при 80^oС параметры структуры тонких приповерхностных слоев кристаллов CsDSO₄ стабилизируются и деформация исчезает. Подобных явлений для монокристаллов CsH₂PO₄ не наблюдается.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.