Пространственное распределение, накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами аргона и никеля
Вариченко В.С., Зайцев А.М., Куделевич Н.А., Челядинский А.Р.
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.
Рентгенодифракционным методом в режиме двухкристального рентгеновского спектрометра исследованы пространственное распределение, накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном ионами аргона (46.3 МэВ) и никеля (6 МэВ). Сублинейный характер накопления дефектов свидетельствует о гомогенном характере дефектообразования в кремнии при внедрении тяжелых высокоэнергетичных ионов, при этом в аннигиляции участвуют в основном изолированные дефекты. Результаты по эффективности введения устойчивых радиационных дефектов говорят в пользу того, что механизмами дефектообразования являются упругие и неупругие взаимодействия.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.