Эффективные массы и g-факторы электронов в возбужденных состояниях в полупроводниках AIIIBV в Gamma-точке
Дымников В.Д.1, Константинов О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Dymnik@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.
Впервые в научной литературе получены численные оценки эффективных масс и g-факторов в возбужденных зонах проводимости в полупроводниках AIIIBV в Gamma-точке. Вычисления проведены с помощью нового, развитого авторами в предыдущих работах подхода, основанного на правилах сумм. PACS: 71.20.Nr, 71.18.+y
- В.Д. Дымников. ФТТ 43, 11, 1957 (2001)
- В.Д. Дымников. ФТТ 47, 4, 591 (2005)
- В.Д. Дымников, О.В. Константинов. ФТП 42, 8, 934 (2008)
- И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников. Наука, М. (1978)
- В.Д. Дымников, О.В. Константинов. ФТТ 51, 4, 000 (2009)
- Оптические свойства полупроводников / Под ред. Р. Уилларюсона, А. Бира. Мир, М. (1970)
- J.M. Luttinger. Phys. Rev. 102, 4, 1030 (1956)
- X. Marie, T. Amand, P. Le Jeune, M. Pailard, P. Renucci, L.E. Golub, V.D. Dymnikov, E.L. Ivchenko. Phys. Rev. B 60, 8, 5811 (1999)
- Landol-Bornstein tables / Eds O. Madelung, M. Shuls, H. Weiss. Springer, Berlin (1982). V. 17a
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.