В предположении диэлектрического поляризационного подавления кулоновского взаимодействия d-электронов плазмой кристалла и изменения с заполнением n 3dⁿ-оболочки эффективного числа электронов остова N_0эф, экранирующих заряд ядра Ze 3d-иона, исследованы закономерности в трансформации потенциалов ионизации свободных 3d-ионов в их энергетические примесные уровни перезарядки E_n,n-1 в кристаллах алмазоподобных полупроводников. Найдено, что наиболее достоверные экспериментально определенные акцепторные и донорные уровни в узкозонных и широкозонных соединениях A³B⁵ (от InSb до GaP), A²B⁶ (CdSe), кремнии и германии для примесей замещения и внедрения после исключения расщепления кристаллическим полем с хорошей точностью укладываются на единое семейство кривых. Семейство получено редукцией в varepsilon²_эф раз экспериментальных потенциалов ионизации свободных ионов, представленных в аналитической форме на основе гамильтониана с учетом кулоновского и обменного взаимодействия и вариацией N_0эф. Хорошее согласие расчетных и экспериментальных уровнен получено в приближении линейной зависимости N_0эф и квадрата эффективной диэлектрической проницаемости varepsilon²_эф от n и Z.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.