Исследованы спектры стимулированного излучения слоистых полупроводников GaSe и InSe. В спектрах стимулированного излучения InSe обнаружена новая линия, обусловленная процессами усиления света в электронно-дырочной жидкости. Полученные результаты интерпретируются на основе новых моделей зонной структуры InSe и GaSe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.