Методами электронной микроскопии сопоставлена структура треков ионов ¹³²₅₄Xe с энергией =~ 1 МэВ/нукл., созданных на чистой поверхности монокристалла гипса (CaSO₄· 2H₂O) и поверхности с напыленной в вакууме перед облучением островковой пленкой золота со средним радиусом островков R₁~=5 нм либо R₂~=10 нм. Угол облучения ~= 1^o. Обсуждены механизмы формирования треков, основанные на эмиссии delta-электронов и взаимодействии с поверхностью ударной волны, возбужденной при пролете иона в приповерхностном слое гипса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.