Исследованы особенности экспериментальных ВАХ структуры М-силленит-М. Показано, что вид ВАХ характерен для ТОПЗ при квазинепрерывном распределении локализованных состояний в широкой запрещенной зоне полупроводника. Рассмотрен вопрос о дискриминации типов инжекции носителей заряда из электрода в объем полупроводника. Показано, что существуют условия (интервал толщин, напряжений, температур), при которых доминирующей является монополярная инжекция и ВАХ хорошо описываются аналитическими приближениями теории ТОПЗ гауссовского распределения ловушек. Определены параметры гауссовского распределения для силлеинтов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.