Вычислено сечение многофононного резонансного комбинационного рассеяния света (МРКРС) в полупроводниках InBr и InI класса A³B⁷ в предположении равенства m=m_h, где m (m_h) - эффективная масса электрона (дырки). Показано, что величина вклада в сечение свободных электронно-дырочных пар в качестве промежуточных состояний резко возрастает при переходе от случая неравных масс (как в полупроводниках A²B⁶) к случаю m=m_h, а именно: при неравных массах sigma_N~alpha³, при равных sigma_N~alpha при N<=4, где alpha_N - сечение МРКРС N-гo порядка, alpha - фрелиховская константа связи электронов (дырок) с LO фононами. Поэтому переход к случаю m-mh эквивалентен включению сильного магнитного поля, которое также приводит к увеличению интенсивности МРКРС в alpha^-2 раз. Таким образом, предположение о m=m^h позволяет объяснить обе основные особенности спектров МРКРС в InBr и InI: величину четных пиков по сравнению с величиной нечетных и чрезвычайно большое общее число наблюдаемых пиков, доходящее до N=20.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.