Измерены низкотемпературные (20 K) спектры кристаллов Bi₁₂SiO₂₀ и проведен их дисперсионный анализ. Найдены частоты и затухания TO и LO фононов. Обнаружено слабое влияние дефектов Si(Bi) подрешетки на затухание фононов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.