Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2009, выпуск 6 » Статья стр. 1055
<<<>>>
Сульфидная пассивация подложек InAs(100) в растворах Na2S
Львова Т.В.1, Седова И.В.1, Дунаевский М.С.1, Карпенко А.Н.1, Улин В.П.1, Иванов С.В.1, Берковиц В.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: tatiana.lvova@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 29 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
PDF версия
Установлено, что в результате обработки водным 1M-раствором сульфида натрия (Na2S) с поверхности InAs(100) удаляется слой естественного окисла, вместо которого формируется сплошной хемосорбционный пассивирующий слой из атомов серы, когерентно связанных с атомами индия поверхности кристалла. Травления поверхности InAs в сульфидном растворе не происходит. Пассивированные образцы InAs демонстрируют многократное увеличение интенсивности фотолюминесценции. Сульфидный слой десорбируется с поверхности InAs при температурах ~400oC, в результате чего открывается чистая In-стабилизированная поверхность (100) с реконструкцией (4x2). С использованием сульфидной пассивации разработан простой способ подготовки атомно-гладких ростовых поверхностей (2x4) подложек InAs(100), пригодных для молекулярно-пучковой эпитаксии высокосовершенных слоев соединений на основе CdSe. Работа выполнена при частичной поддержке гранта N 2.10-б Программы Президиума РАН П-03 и Лазерной программы ОФН РАН. PACS: 68.37.Ps, 68.47.Fg, 81.15.Gh
  1. W.W. Bewley, H. Lee, I. Vurgaftman, R.J. Menna, C.L. Felix, R.U. Martinelly, D.W. Stokes, D.Z. Garbuzov, J.R. Meyer, M. Maiorov, J.C. Connolly, A.R. Sugg, G.H. Olsen. Appl. Phys. Lett. 76, 256 (2000)
  2. H.Q. lee, C.H. Lin, S.S. Pei. Appl. Plys. Lett. 72, 3434 (1998)
  3. S.V. Ivanov, V.A. Kaygorodov, S.V. Sorokin, B.Ya. Meltser, V.A. Solov'ev, Ya.V. Terent'ev, O.G. Lyublinskaya, K.D. Moiseev, E.A. Grebenshchikova, M.P. Mikhailova, A.A. Toropov, Yu.P. Yakovlev, P.S. Kop'ev, Zh. I. Alferov. Appl. Phys. Lett. 82, 21, 3782 (2003)
  4. A.A. Toropov, Ya.V. Terent'ev, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, V.A. Kaygorodov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Mel'tser, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, I.A. Buyanova, W.M. Chen. Phys. Status Solidi B 241, 3, 704 (2004)
  5. И.В. Седова, Т.В. Львова, В.П. Улин, С.В. Сорокин, А.В. Анкудинов, В.Л. Бурковиц, С.В. Иванов, П.С. Копьев. ФТП 36, 1, 59 (2002)
  6. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП 32, 1281 (1998)
  7. D. Paget, J.E. Bonnet, V.L. Berkovits, P. Chiaradia, J. Avila. Phys. Rev. B 53, 4604 (1996)
  8. V.L. Berkovits, V.P. Ulin, D. Paget, J.E. Bonnet, T.V. L'vova, P. Chiaradia, V.M. Lantratov. J. Vac. Sci. Technol. A 16, 4, 2528 (1998)
  9. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigava, H. Shigekava, Y. Nannichi. J. Appl. Phys. 69, 4349 (1991)
  10. T.V. L'vova, I.V. Sedova, V.P. Ulin, S.V. Sorokin, V.A. Solov'ev, V.L. Berkovits, S.V. Ivanov. Vacuum 57, 2, 163 (2000)
  11. H. Oigawa, J.F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Jpn. J. Appl. Phys. 30, L 322 (1991)
  12. Y. Fukida, Y. Suzuki, N. Sanada, M. Shimomura, S. Nasuda. Phys. Rev. B 56, 1084 (1997)
  13. D.Y. Petrovykh, M.J. Yang, L.J. Whitman. Surf. Sci. 523, 231 (2003)
  14. V.A. Kaygorodov, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, O.V. Nekrutkina, T.V. Shubina, A.A. Toropov, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi B 229, 1, 19 (2002)
  15. D. Paget, A.O. Gusev, V.L. Berkovits. Phys. Rev. B 53, 8, 4615 (1996)
  16. О.А. Аллабернов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП 4, 10, 1939 (1970)
  17. V.A. Kiselev. Rev. Phys. Appl. 25, 277 (1990)
  18. V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, G.A. Shakiashvili, V.P. Ulin. Appl. Phys. Lett. 63, 970 (1993)
  19. И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП 31, 653 (1997)
  20. S.V. Ivanov, O.G. Lyublinskaya, Yu.B. Vasilyev, V.A. Kaygorodov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, A.A. Sitnikova, T.V. L'vova, V.L. Berkovits, A.A. Toropov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett. 84, 23, 4777 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme