Электронный спектр дефектов с дельтаобразным потенциалом в тонких полупроводниковых пленках
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.
Дискретные электронные уровни дефектов с дельтаобразным потенциалом размываются в пленке в полосу из-за поверхностного потенциала и ограничения пространства, доступного электрону. Кроссовер от двумерного к трехмерному поведению проявляется в резком ускорении сдвига уровня с ростом потенциала дефекта после достижения им критического значения.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.