Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оценки значений спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей кристаллов AlN, GaN, InN и SiC

Давыдов С.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 16 октября 2008 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

PDF версия

Методом связывающих орбиталей Харрисона рассчитаны значения спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей нитридов алюминия, галлия и индия, а также карбида кремния, имеющих структуру вюрцита. Единственный подгоночный параметр gamma, характеризующий поправки на локальное поле, определялся из подгонки расчетного значения высокочастотной диэлектрической проницаемости varepsilon_{бесконечность} для структуры сфалерита к данным эксперимента. Результаты расчета удовлетворительно согласуются с существующими экспериментальными данными и расчетами других авторов. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ (N 07-02-00919a) и целевой программы "Развитие научного потенциала высшей школы Российской Федерации" (проект 2.1.2.1716 K). Работа выполнена в рамках программы Президиума РАН "Квантовая физика конденсированных сред", целевой программы "Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2010)" Минобрнауки РФ N 2.1.1/2503 и поддержана грантом РФФИ (проекты N 07-020063а). PACS: 77.84.Bw, 77.22.Ej, 78.20.Ci

Proc. 6th Eur. Conf. on silicon carbide and related materials. Newcastle upon Tune, U.K. (2006). Mater. Sci. Forum 556-- 557 (2007)
Int. Conf. on silicon carbide and related materials (ICSCRM). Otsu, Japan (2007). Technical Digest
С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТТ 49, 723 (2007)
С.Ю. Давыдов. ФТП 36, 45 (2002)
С.Ю. Давыдов. ФТП 48, 1748 (2006)
S.Yu. Karpov. In: Nitride semiconductor devices: principles and simulation / Ed. J. Piprek. Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, Weinheim (2007). Ch. 14. P. 303
С.Ю. Давыдов. ФТТ 48, 1407 (2006)
У. Харрисон. Электронная структура твердых тел. Мир, М. (1983). Т. 1. 381 с
W.A. Harrison. Phys. Rev. B 27, 3592 (1983)
O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman. J. Phys.: Cond. Matter 14, 3399 (2002)
С.Ю. Давыдов, Е.И. Леонов. ФТТ 29, 2890 (1987)
F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B 56, R 10 024 (1997)
Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
K. Karch, F. Bechstedt, P. Pavone, D. Strauch. Phys. Rev. B 53, 13 400 (1996)
С.Ю. Давыдов, Е.И. Леонов. ФТТ 30, 1326 (1988)
V.W.L. Chin, T.L. Tansley, T. Osotchan. J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994)
W.W. Chow, A.F. Wright, J.S. Nelson. Appl. Phys. Lett. 68, 296 (1996)
V.M. Polyakov, F. Schwierz. J. Appl. Phys. 98, 023 709 (2005)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987). 608 с
W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 2121 (1985)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред. Наука, М. (1982). 624 с
A. Qtech, V. Heine, R.J. Needs. Phys. Rev. B 45, 6534 (1992)
T. Kamiya. J. Appl. Phys. 35, 4421 (1996)
A.T. Collins, E.C. Lightowlers, P.J. Dean. Phys. Rev. 158, 833 (1967)
R. Dingle, H.L. Stormer, A.C. Gossar, W. Weigmann. Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978)
A.S. Barker, jr., M. Ilegems. Phys. Rev. B 7, 743 (1973)
F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. Lett. 79, 3958 (1997)
K. Karch, G. Portisch, F. Bechstedt, P. Pavone, D. Strauch. Inst. Phys. Conf. Ser. N 142 (1996). Ch. 3. P. 967

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель