Проведены исследования сопротивления R_k микроконтактов Au-Pb_1-xSn_xSe и Pb_1-xSn_xSe-Pb_1-xSn_xSe (x = 0.06, x = 0.23) от величины магнитного поля H и его ориентации относительно кристаллографических осей полупроводника при температуре 4.2 K. В сильных магнитных полях обнаружено удвоение частоты следования экстремумов на угловых зависимостях R_k. Делается вывод, что это явление обусловлено анизотропией продольного магнетосопротивления полупроводника и эффектом формирования анизотропного (вытянутого вдоль H) распределения плотности тока в области микроконтакта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.