Путем исследования температурной зависимости спектров фотолюминесценции, а также люксинтенсивностных характеристик прямозонной, квазипрямозонной и непрямозонной сверхрешеток GaAs/AlAs изучены механизмы температурного гашения фотолюминесценции в таких структурах. Обсуждена модель, согласно которой экситоны в сверхрешетках GaAs/AlAs при низких температурах локализуются на неровностях границ раздела.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.