Наблюдалось смещение экситонных линий AA_F и I₃ в спектрах поглощения монокристаллов сульфида кадмия в длинноволновую сторону при 1.8 K, вызванное внешним постоянным электрическим полем. Во избежание протекания большого электрического тока и связанного с ним разогрева и пробоя кристаллов для эксперимента использовались МДП-структуры на основе CdS. Отклонение наблюдаемого смещения экситонных полос поглощения (Deltavarepsilon) по мере увеличения приложенного электрического поля (E) от теоретически ожидаемого объясняется зависимостью распределения напряжения между слоями диэлектрика и полупроводника от величины полной разности потенциалов на МДП-структуре. С учетом поправки на падение напряжения на слое диэлектрика полученная экспериментально зависимость Deltavarepsilon от E достаточно хорошо согласуется с теоретическими представлениями о квадратичном эффекте Штарка.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.