Предложена методика расчета объема (v_s) и энтропии (s_s) образования дефекта Шоттки в кубическом кристалле состава АВ. Изучена зависимость данных функций от параметров межионного потенциала, межионного расстояния и температуры. Расчет v_s и s_s, проведенный для 35 ионных кристаллов, показал хорошее согласие с экспериментальными оценками объема и энтропии образования дефекта Шоттки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.