Представлены результаты исследования доменных границ в LiNbO₃ методами рентгеновской топографии и дифрактометрии и растровой электронной микроскопии. Обнаружено, что область искажений кристаллической решетки вблизи доменных границ разного типа различна и достигает латеральных размеров от 100 до 200 mum. Характер и величина искажений существенным образом зависят от метода формирования доменной структуры. При облучении в растровом микроскопе область кристаллов шириной до 25 mum вблизи границ "хвост-к-хвосту" заряжается медленнее и в отличие от границ "голова-к-голове" в режиме вторичных электронов имеет динамическое зарядовое изображение. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 07-02-00318-а и 06-02-16104-а). PACS: 61.72.up, 61.05.cp, 77.84.Dy

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.