Вышедшие номера
Дискретное туннелирование в электронных транспортных свойствах наногранулированного пористого кремния и подобных гетерофазных систем
Демидов Е.С.1, Демидова Н.Е.1, Карзанов В.В.1, Марков К.А.1, Сдобняков В.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: demidov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

На основе теории дискретного туннелирования анализируются экспериментальные данные по исследованию поперечного транспорта тока в ряде наноразмерных гранулированных или подобных им сред: слоях ПК, анодных слоях оксида и слоях нитрида кремния, полученных ионной имплантацией азота в кремний. Показано, как измерение вольт-амперной характеристики диодной структуры с прослойкой диэлектрика с вкрапленными гранулами позволяет получить полезную информацию о характере и размерах гранул или квантовых точек в наноразмерной гранулированной среде. Аморфные диэлектрики могут рассматриваться как гранулированная среда с наноразмерными флуктуациями состава. Вольт-амперные характеристики реальных структур определяются как токовой нелинейностью, связанной с инжекцией носителей тока, так и полевой нелинейностью, обусловленной кулоновской блокадой туннелирования. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 08-02-97044ра, 08-02-01222а, программы Рособразования (проекты РНП 2.1.1/933, 2.1.1/2833). PACS: 72.10.-d, 42.20.-i, 72.80.Tm, 77.55.+f