Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование вольт-амперных характеристик структуры n-CdS--p-CdTe с протяженным слоем промежуточного твердого раствора
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Email: mirsagatov@ramler.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Приведены результаты исследований гетероструктур n-CdS-p-CdTe c протяженным слоем промежуточного твердого раствора, для которого соблюдается соотношение w/L~10 (w - длина базы, L - диффузионная длина неосновных носителей). Вольт-амперные характеристики таких структур в значительном диапазоне изменений напряжения хорошо описываются степенными закономерностями типа J~ AValpha, где показатель степени alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса. Работа выполнена по грантам ФА-ФО32 и ФА-ФО27-ФО28 Фонда фундаментальных исследований АН Узбекистана. PACS: 73.61.Ga, 73.40.Rw, 72.10.-d
- K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Coblins. Appl. Phys. 75, 22, 3503 (1999)
- Ж. Жанабергенев, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорган. материалы 41, 8, 915 (2005)
- С.А. Музафарова, Ж. Жанабергенов. Неорган. материалы 43, 7, 781 (2007)
- S.A. Muzafarova, Sh.A. Mirsagatov. УФЖ 51, 11--12, 1125 (2006)
- Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов, С.А. Музафарова. ФТТ 49, 7, 1111 (2007)
- Х.Х. Исмоилов, А.М. Абдугафуров, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ 50, 11, 1953 (2008)
- W. Shockley, W. Read. Phys. Rev. 87, 835 (1952)
- А.В. Ржанов. ФТТ 3, 3698 (1961)
- P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A 26, 419 (1968)
- П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. В сб.: Физика и материаловедение полупроводников / Под ред. В.И. Фистуля. Металлургия, М. (1987). 80 с
- А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР 7, 21 (1987)
- А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР 4, 25 (1989)
- М.Г. Шейнкман, Н.Е. Корсунская. В кн.: Физика соединений A2B6. Наука, М. (1986). 109 с
- А.Ю. Лейдерман, ДАН УзССР 1, 24 (1989)
- А.Ю. Лейдерман, М.К. Минбаева. ФТП 30, 1729 (1996)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 210 с
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках. Сов. радио, М. (1978). 249 с
- Физика и химия полупроводников. AIIBVI / Под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970). 624 с
- L.W. Davies. Proc. IEEE 51, 1637 (1963)
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: теория и эксперименты. Энергоатомиздат, М. (1987). 278 с
- K. Zanio. In: Semiconductors and semimals. Acad. Press, N.Y. (1978). V. 13. 210 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
