Вышедшие номера
Формирование и оптические свойства полупроводниковых нанокристаллов CdSSe в матрице силикатного стекла
Ушаков В.В.1, Аронин А.С.2, Караванский В.А.3, Гиппиус А.А.1
1Отделение физики твердого тела Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3Центр естественно-научных исследований Института общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: ushakov@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 15 января 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Определены технологические режимы, обеспечивающие формирование в матрице силикатного стекла полупроводниковых кристаллитов CdSxSe1-x размером 2-8 nm. По мере увеличения температуры формирующего отжига их размер увеличивается без изменения кристаллической структуры и состава. Коротковолновый сдвиг края оптического поглощения свидетельствовал о влиянии размерного квантования на энергетическую структуру нанокристаллов. Интенсивная люминесценция образцов представляет излучательные переходы с участием дефектов на интерфейсе полупроводниковый нанокристалл-силикатная матрица либо внутренних дефектов нанокристаллов. Работа выполнена по проекту РФФИ 06-02-16987-а. PACS: 68.37.Lp, 78.55.Kz, 78.67.Bf, 81.07.Bc