Вышедшие номера
Эффекты d-волнового спаривания в электронных высокотемпературных сверхпроводниках с анизотропным примесным рассеянием
Чарикова Т.Б.1, Шелушинина Н.Г.1, Харус Г.И.1, Сочинская О.Е.1, Иванов А.А.2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Московский государственный инженерно-физический институт, Москва, Россия
Email: charikova@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 18 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Представлены результаты исследования температурных зависимостей сопротивления монокристаллических пленок электронного сверхпроводника Nd2-xCexCuO4+delta с x=0.14 (недолегированная область) и x=0.15 (область оптимального легирования) и разной степенью беспорядка delta в различных магнитных полях (B|| c, J|| ab) в интервале температур 0.4-300 K. Показано, что существуют различия в поведении зависимости наклона верхнего критического поля (dBc2/dT)|T-> Tc от параметра беспорядка в недолегированных образцах (x=0.14) и в образцах с оптимальным легированием (x=0.15). Изучение характера зависимости наклона верхнего критического поля от степени беспорядка позволило экспериментально различить сверхпроводники с d-спариванием и с анизотропным s-спариванием. Удалось установить возможную причину относительной устойчивости электронного сверхпроводника с оптимальным легированием к разупорядочению, которая состоит в сильной анизотропии примесного рассеяния с симметрией d-типа. Работа выполнена по плану РАН (тема N 01.2.006 13394, шифр "Импульс") и при частичной поддержке РФФИ (гранты N 07-02-00396 и 08-02-00759). PACS: 74.72.-h, 74.25.Fy, 74.25.Op