Изучено влияние gamma-облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость слоистого монокристалла TlInS₂ в диапазоне частот 5·10⁴-3.5·10⁷ Hz. Показано, что gamma-облучение монокристалла TlInS₂ дозой 10⁴-2.25·10⁶ rad приводит к существенному увеличению тангенса угла диэлектрических потерь tgdelta, действительной varepsilon' и мнимой varepsilon'' составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и ac-проводимости sigma_ac поперек слоев. Установлено, что в TlInS₂ при всех дозах gamma-облучения имеют место потери на электропроводность вплоть до 10⁷ Hz, после чего начинают проявляться релаксационные потери. Облучение монокристалла TlInS₂ приводило к увеличению дисперсии tgdelta, varepsilon' и varepsilon''. Показано, что по мере накопления дозы gamma-облучения в монокристалле TlInS₂ плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми N_F увеличивается (от 5.2·10¹⁸ до 1.9·10¹⁹ eV^-1·cm^-3). PACS: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Jv, 72.30.+q

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.