Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2008, выпуск 1 » Статья стр. 61
<<<>>>
Электропроводность и магнитные свойства керамических образцов La1-xCaxMn1-yFeyO3 (x=0.67, y=0, 0.05)
Захвалинский В.С.1, Laiho R.2, Орлова Т.С.3, Хохулин А.В.1
1Белгородский государственный университет, Белгород, Россия
2Wihuri Physical Laboratory, University of Turku, FI Turku, Finland
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: v_zakhval@rambler.ru
Поступила в редакцию: 5 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
PDF версия
Температурные зависимости магнитной восприимчивости chi(T) и удельного сопротивления rho(T) исследованы для керамических образцов La1-xCaxMnO3, x=0.67 (LCMO) и La1-xCaxMn1-yFeyO3, x=0.67, y=0.05 (LCMFO) в магнитных полях B=50-105 G и диапазоне температур T=4.2-400 K. Оба образца демонстрируют переход из парамагнитного состояния в состояние с зарядовым (орбитальным) упорядочением (CO) при температурах TCO~ 272 K (LCMO) и TCO~ 222 K (LCMFO). Поведение парамагнитной фазы в диапазоне температур 320-400 K для LCMO и 260-400 K для LCMFO описывается законом Кюри-Вейсса с эффективными числами магнетонов Бора peff=4.83 muB (LCMO) и 4.77muB (LCMFO) соответственно. Противоречие между наблюдаемыми положительными температурами Вейсса (theta~ 175 K (LCMO) и theta~ 134 K (LCMFO) ) и требуемыми для основного антиферромагнитного состояния отрицательными объясняется фазовым расслоением и наличием перехода в CO-состояние. Магнитная необратимость при T<TCO объясняется существованием смеси ферромагнитной и антиферромагнитной фаз, а также фазы кластерного стекла. При низких температурах легирование железом приводит к большей фрустрированности системы, что проявляется в более простом ходе зависимости скорости убывания остаточной намагниченности со временем. Температурная зависимость удельного сопротивления в области CO-фазы соответствует механизму прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка. Поведение удельного сопротивления определяется сложной структурой плотности локализованных состояний вблизи уровня Ферми, включающей мягкую кулоновскую щель Delta=0.464 eV (LCMO) и 0.446 eV (LCMFO). Установлено, что отношение радиуса локализации носителей заряда a в LCMFO к радиусу локализации aund в LCMO составляет a/aund=0.88. Работа была поддержана фондом Вихури (Wihuri Foundation, Finland) и Белгородским государственным университетом (грант ВКГ 005-07). PACS: 75.47.Lx, 74.25.Fy, 74.62.Dh
  1. В.М. Локтев, Ю.Г. Погорелов. ФНТ 26, 231 (2000)
  2. J.M.D. Coey, M. Viret, S. von Molnar. Adv. Phys. 48, 167 (1999)
  3. M. Roy, F.J. Mithel, A.P. Ramirez, P.E. Shiffer. J. Phys.: Cond. Matter 11, 4834 (1999)
  4. P. Levy, F. Parisi, G. Polla, D. Vega, G. Leyva, H. Lanza, R.S. Freitas, L. Ghivelder. Phys. Rev. B 62, 6437 (2000)
  5. A. Moreo, S. Yukoni, E. Dagoto. Science 283, 2034 (1999)
  6. Y. Morimoto, A. Mashida, S. Mori, N. Yamamoto, A. Nakamura. Phys. Rev. B 60, 9220 (1999)
  7. K.H. Ahn, X.W. Wu, K. Liu, C.L. Chein. Phys. Rev. B 54, 15 299 (1996)
  8. X. Chen, Z. Wang, R. Li, B. Shen, W. Zhan, J. Sun, J. Chen, Ch. Yan. J. Appl. Phys. 87, 5594 (2000)
  9. R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, V.N. Stamov, V.S. Zakhvalinskii, A.I. Kurbakov, A.E. Sokolov. J. Phys.: Cond. Matter 16, 881 (2004)
  10. A. Simopoulus, M. Pissas, G. Kallias, E. Devlin, N. Moutis, I. Panagiotopoulos, D. Niarchos, C. Christides, R. Sonntag. Phys. Rev. B 59, 1263 (1999)
  11. M. Pissas, G. Kallias, E. Devlin, A. Simopoulus, D. Niarchos. J. Appl. Phys. 81, 5770 (1997)
  12. R.D. Shannon. Acta Cryst. A 32, 751 (1976)
  13. R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, J. Salminen, V.N. Stamov, V.S. Zakhvalinskii. J. Magn. Magn. Mater. 250, 267 (2002)
  14. R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, J. Salminen, M.A. Shakhov, V.N. Stamov, P.A. Petrenko, V.S. Zakhvakinskii. J. Phys. Chem. Sol. 64, 1573 (2003)
  15. R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, P.A. Petrenko, J. Salminen, M.A. Shakhov, M.O. Safontchik, V.N. Stamov, M.L. Shubnikov, V.S. Zakhvalinskii. J. Phys.: Cond. Matter 14, 8043 (2002)
  16. T.S. Orlova, J.Y. Laval, P.Monod, J.G. Noudem, V.S. Zahvalinskii, V.S. Vikhnin, Yu.P. Stepanov. J. Phys.: Cond. Matter 18, 6729 (2006)
  17. Т.С. Орлова, J.Y. Laval, В.С. Захвалинский, Ю.П. Степанов. ФТТ 48, 1994 (2006)
  18. R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, P.A. Petrenko, J. Salminen, V.N. Stamov, V.S. Zakhvalinskii. J. Phys.: Cond. Matter 12, 5751 (2000)
  19. R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, P.A. Petrenko, V.N. Stamov, V.S. Zakhvalinskii. J. Magn. Magn. Mater. 213, 271 (2000)
  20. P. Schiffer, A. Ramirez, W. Bao, S.W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 75, 3336 (1995)
  21. M.R. Ibarra, J.M. De Teresa, J Blasco, P.A. Algarabel, C. Marquina, J. Garcia, J. Stankiewicz, C. Ritter. Phys. Rev. B 56, 8252 (1997)
  22. G. Allodi, R. De Renzi, G. Guidi, F. Licci, M.W. Pieper. Phys. Rev. B 56, 6036 (1997)
  23. М.Ю. Каган, К.И. Кугель. УФН 171, 578 (2001)
  24. R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, V.S. Zakhvalinskii, V.L. Kozhevnikov, I.A. Leonidov, E.B. Mitberg, M.V. Patrakeev. J. Magn. Magn. Mater. 293, 892 (2005)
  25. M. Jaime, M.B. Salomon, M. Rubinstein, R.E. Treece, J.S. Horwitz, D.B. Chrisey. Phys. Rev. B 54, 11 914 (1996)
  26. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic properties of doped semiconductors. Springer-Verlag, Berlin (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme