Приводятся и обсуждаются особенности влияния внешних воздействий (постоянное электрическое поле, световое воздействие) на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlGaSe₂, регистрируемый по данным измерения диэлектрической постоянной. Впервые продемонстрировано, что влияние внешних воздействий на аномалию, связываемую с проявлением эффекта термической памяти в TlGaSe₂, сводится к некоему универсальному эмпирическому правилу: при длительной временной выдержке образца при постоянной температуре T₀ в области несоизмеримой фазы в присутствии постоянного электрического поля сильно увеличивается амплитуда прогиба в низкотемпературной части аномалии температурной зависимости относительного измерения диэлектрической постоянной Deltavarepsilon/varepsilon (при этом стирается прогиб в высокотемпературной части аномалии Deltavarepsilon/varepsilon(T) ) по сравнению с аналогичным участком зависимости, полученной при изотермическом отжиге образца при той же температуре, но без электрического поля. При этом кристалл "вспоминает" свою предысторию при температуре, смещенной относительно T₀ на несколько градусов в сторону более высоких температур. Световое же воздействие увеличивает амплитуду прогиба в высокотемпературной части аномалии Deltavarepsilon/varepsilon(T), смещая температуру, при которой кристалл "вспоминает" свою предысторию, в сторону более низких температур относительно T₀. PACS: 77.80.-e, 64.70.Rh, 61.44.Fw, 78.20.Ci

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.