Представлены результаты исследования локальной электронной структуры монокристаллических образцов кремния < 111> с проводимостью n-типа методом рентгеновской Si L_2,3-эмиссионной спектроскопии. Образцы имплантировались ионизированным молекулярным пучком ¹⁶O⁺₂ и ¹⁴N⁺₂ (соотношение кислород-азот в молекулярном пучке 1 : 1, энергия имплантации 30 keV, дозы облучения от 2· 10¹⁷ до 1.5· 10¹⁸ cm^-2, термический быстрый отжиг (rapid thermal annealing) образцов в азотной атмосфере после имплантации при 800^oC в течение 5 min ) для формирования системы Si_xO_yN_z. Сравнение зарегистрированных Si L-спектров со спектрами эталонов позволило установить четкие корреляции между особенностями электронной структуры оксинитрида кремния, сформированного в результате имплантации, и дозами облучения. Показано, что при дозах имплантации 2· 10¹⁷ и 1· 10¹⁸ cm^-2 преимущественно формируется Si₃N₄, в то время как при дозе 1.5· 10¹⁸ cm^-2, в основном происходит образование слоев SiO₂ в монокристаллическом кремнии. Обсуждаются наиболее вероятные причины и механизмы особенностей такого внедрения ¹⁶O⁺₂ и ¹⁴N⁺₂ в исследованные образцы. Полученные экспериментальные данные сравниваются с ab initio расчетами зонной структуры, выполненными методом FLAPW. Работа выполнена при поддержке проектов РФФИ (гранты N 08-02-00046а и 08-02-00148а), гранта Минобразования - CRDF: Annex BF4M05, EK-005-X2 (REC-005), BRHE 2004 post-doctoral fellowship award Y2-EP-05-11, а также Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-4192.2006.2). С индийской стороны работа выполнялась при поддержке University Mumbai Grants Commission (UGC) и проекта "Ion implantation synthesis of silicon oxynitride samples" F.10-47/2001 (SR-I). PACS: 71.20.Nr, 71.20.-b

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.