Методом термодесорбционной спектрометрии исследован рост тонких пленок Ge на поверхности текстурированной вольфрамовой ленты с преимущественным выходом грани (100) на поверхность при различных температурах подложки и в широком диапазоне покрытий. Механизм роста пленки Ge при T=300 K близoк к послойному. При T>300 K пленка растет по механизму Странского-Крастанова: после заполнения монослоя наблюдается образование трехмерных кристаллитов, что приводит к изменению кинетики десорбции. Энергия активации десорбции Ge c W (100) при малых покрытиях (в отсутствие латеральных взаимодействий) составляет E=4.9± 0.2 eV; в монослое она уменьшается до значения E=3.9± 0.2 eV вследствие отталкивательных латеральных взаимодействий. Определена энергия парных латеральных взаимодействий omega=0.3 eV. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 07-02-00284). PACS: 68.43.Vx, 68.43.Mn

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.