Вышедшие номера
Пиннинг уровня Ферми, вызванный адсорбцией
Давыдов С.Ю.1, Трошин С.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Показано, что наведенный адсорбцией пиннинг уровня Ферми имеет место при степенях покрытия Theta*, соответствующих мелкому экстремуму или насыщению работы выхода системы. В рамках модифицированной модели адсорбции Андерсона-Ньюнса получены уравнения для определения Theta*. Приведен анализ экспериментальных данных по адсорбции атомов щелочных, щелочно-земельных (Ba) и редкоземельных металлов и водорода на полупроводниках (кремнии, арсениде галлия и диоксиде титана). Сделаны оценки положения уровня Ферми на поверхности полупроводника. Работа выполнена при поддержке целевой программы "Развитие научного потенциала высшей школы Российской Федерации" (проект РНП 2.1.2.1716К). PACS: 73.20.Hb, 71.55.Cn, 71.55.Eq