Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Свойства тонкой пленки сегнетоэлектрика при учете электродов
Глинчук М.Д.1, Зауличный В.Я.1, Стефанович В.А.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Институт математики и информатики, Университет Ополе, 45-052 Ополе, Польша
2Институт математики и информатики, Университет Ополе, 45-052 Ополе, Польша
Email: glin@materials.kiev.ua
Поступила в редакцию: 26 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
Влияние различных металлических электродов на свойства тонких пленок сегнетоэлектрика рассматривается в рамках феноменологической теории Гинзбурга-Ландау. Вклад электрического поля, создаваемого зарядами в электродах, с учетом эффекта экранирования заряда в металлах включается в функционал свободной энергии и соответственно в уравнение Эйлера-Лагранжа для поляризации пленки. Применение вариационного метода для решения этого уравнения позволило свести функционал свободной энергии к обычной форме свободной энергии с перенормированным коэффициентом перед P2. Этот коэффициент зависит как от свойств и толщины пленки, так и от свойств электрода. Полученный результат открывает путь для вычисления физических характеристик размерного эффекта путем постановки перенормированного коэффициента в обычные формулы феноменологической теории. Сравнение с данными эксперимента для Pt, Ir, IrO2, SrRuO3 показало хорошее согласие теории и эксперимента. PACS: 77.80.Bh, 77.80.-e, 68.60.-p
- R. Kretchmer, K. Binder. Phys. Rev. B 20, 1065 (1979)
- D.R. Tilley. Ferroelectric then films / Eds Paz de Araujo, J.F. Scott, G.W. Taylor. Gordon and Breach, Amsterdam (1966). P. 11
- M.D. Glinchuk, E.A. Eliseev, V.A. Stephanovich, R. Farhi. J. Appl. Phys. 93, 1150 (2003)
- A.M. Bratkovsky, A.P. Levanyuk. Phys. Rev. Lett. 84, 3177 (2000)
- Th. Tybell, C. Ahm, J. Triscone. Appl. Phys. Lett. 72, 1454 (1998)
- G. Suchameck, T.H. Sander, R. Kohler, G. Gerlach. Integrated ferroelectrics 27, 127 (1999)
- Sukpil Kim, Junemo Koo, Sangmin Shin, Youngsoo Park. Appl. Phys. Lett. 87, 212 910 (2005)
- G.E. Pike, W.L. Warren, D. Dimos, B.A. Tuttle, R. Rames, J. Lee, V.G. Keramidas, J.T. Evans. Appl. Phys. Lett. 66, 484 (1995)
- R. Bruchaus, D. Pitzer, R. Primig, M. Schreiter, W. Wersing. Integrated ferroelectrics 25, 1 (1999)
- V.M. Fridkin. Ferroelectrics semiconductors. Consult Bureau, N.Y. (1980)
- C.T. Black, J.J. Welser. IEEE Transactions Electron Devices 46, 776 (1999)
- S. H. Brewer, D. Wicaksana, J.-P. Maria, A.I. Kingon, S. Franzen. Chem. Phys. 313, 25 (2005)
- C. Kittel. Introduction to solid state physics. 5th ed. Wiley, N.Y. (1976). P. 296
- M.D. Glinchuk, E.A. Eliseev, V.A. Stephanovich. Physica B 322, 356 (2002)
- M.D. Glinchuk, B.Y. Zaulychny, V.A. Stephanovich. Cond-mat/0411431 (2004)
- M.D. Glinchuk, B.Y. Zaulychny, V.A. Stephanovich. Phys. Stat. Sol. (b) 243, 542 (2006)
- Shaoping Li et al. Jpn. Appl. Phys. 36, 5169 (1997)
- L. Klein, J.S. Dodge, C.H. Ahn, G.J. Snyder, T.H. Geballe, M.R. Beasley, A. Kapitulnik. Phys. Rev. Lett. 77, 2774 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
