Вольт-амперная характеристика контакта металл--полупроводник с барьером Мотта
Шашкин В.И.1, Мурель А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: sha@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 5 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
Получено аналитическое решение для вольт-амперных характеристик (ВАХ) контакта металл-полупроводник с барьером Мотта при учете пространственого заряда носителей тока n+-i-перехода. Основным допущением при решении уравнения Пуассона является пренебрежение объемным легированием i-слоя. Для характерных случаев термоэмиссионного и диффузионного механизмов переноса носителей тока рассчитаны зависимости тока от напряжения. В отличие от классического результата Мотта учет пространственного заряда носителей тока ограничивает рост тока при прямом смещении и уменьшает нелинейность ВАХ. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 07-02-00163 и 07-02-12150). PACS: 73.30.+y, 73.63.-b, 73.40.Ei
- N.F. Mott. Proc. Cambr. Phil. Soc. 34, 568 (1938)
- N.F. Mott. Proc. Roy. Soc. A 171, 27 (1939)
- E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-semiconductor contacts. Claredon Press, Oxford (1988). 252 p
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Т. 1. 456 с
- M. McColl, M.F. Millea. Proc. IEEE 61, 499 (1973)
- V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, O.I. Khrykin, A.V. Murel, Yu.I. Chechenin, A.V. Shabanov. Proc. Int. Semicon. Dev. Res. Symp. (ISDRS 1997). Charlottseville, USA (1997). P. 147
- В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, Ю.И. Чеченин. Изв. вузов. Радиофизика 48, 544 (2005)
- Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. Эмиссионная электроника. Наука, М. (1966). 564 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
