Вышедшие номера
Механизм релаксации остаточного электросопротивления гранулярных ВТСП после воздействия магнитного поля на примере композитов Y-Ba-Cu-O + CuO
Балаев Д.А.1, Дубровский А.А.1, Попков С.И.1, Шайхутдинов К.А.1, Петров М.И.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: smp@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Исследованы гистерезис магнитосопротивления R(H) и временная релаксация остаточного сопротивления Rrem после воздействия магнитного поля в гранулярных композитах на основе ВТСП (Y-Ba-Cu-O) и CuO. Такие композиты представляют собой сеть переходов джозефсоновского типа, в которой несверхпроводящий ингредиент (CuO) формирует джозефсоновские барьеры между ВТСП-гранулами. На основании сопоставления зависимостей Rrem(t) и R(H) экспериментально показано, что релаксация остаточного сопротивления вызвана уменьшением магнитной индукции в межгранульной среде вследствие релаксации намагниченности. Выявлена причина известных из литературы различий величин потенциала пиннинга, определенных с помощью измерений релаксации намагниченности или сопротивления, аппроксимируемых зависимостью андерсоновского типа. Работа выполнена в рамках программы РАН "Квантовая микрофизика", Комплексного интеграционного проекта СО РАН N 3.4 лаврентьевского конкурса молодежных проектов СО РАН (проект N 52), также частично поддержана Фондом содействия отечественной науке. PACS: 74.25.Fy, 74.25.Qt, 74.81.-g