Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2014, выпуск 2 » Статья стр. 209
>>>
Электронная структура оксида кремния (О б з о р)
Некрашевич С.С.1, Гриценко В.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nss@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
PDF версия
Аморфные пленки оксида кремния являются ключевым диэлектриком в кремниевых интегральных схемах. Физические свойства оксида кремния определяются его электронной структурой. Cистематизированы современные сведения об электронной структуре оксида кремния. Работа поддержана проектом 24.18 СО РАН.
  1. В. А. Гриценко. УФН 179, 921 (2009)
  2. В.А. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов. Диэлектрики в наноэлектронике. Издательство СО РАН, Новосибирск (2010). 257 с
  3. P.M. Schneider, W.B. Fowler. Phys. Rev. Lett. 36, 425 (1976)
  4. S.T. Pantelides, W.A. Harrison. Phys. Rev. B 13, 2667 (1976)
  5. J.R. Chelikowski, M. Schluter. Phys. Rev. B 15, 4020 (1977)
  6. D.L. Griscom. J. Non-Cryst Solids 24, 155 (1977)
  7. E. Calabrese, W.B. Fowler. Phys. Rev. B 18, 2888 (1978)
  8. R.N. Nucho, A. Madhakur. Phys. Rev. B 21, 1576 (1980)
  9. И.А. Брытов, В.А. Гриценко, Ю.Н. Ромащенко. ЖЭТФ 89, 562 (1985)
  10. Y.-N. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B 51, 17 379 (1995)
  11. Y.-N. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B 44, 11 048 (1991)
  12. E. Gnani, S. Reggiani, R. Colle, M. Rudan. IEEE Transactions on Electron Devices 47, 1795 (2000)
  13. E.K. Chang, M. Rohlfing, S.G. Louie. Phys. Rev. Lett. 85, 2216 (1995)
  14. В.А. Гриценко, Р.М. Иванов, Ю.Н. Мороков. ЖЭТФ 108, 2216 (1996)
  15. V.A. Gritsenko, J.B. Xu, I.H. Wilson, R.M. Kwok. Phys. Rev. Lett. 81, 1054 (1998)
  16. В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.В. Шапошников. ФТП 35, 1041 (2001)
  17. I.T. Godmanis, A. N. Trukhin, K. Hubner. Phys. Status Solidi B 116, 279 (1983)
  18. К.А. Насыров, С.С. Шаймеев, В.А. Гриценко. ЖЭТФ 102, 810 (2006)
  19. Y.T. Hou, M.F. Li, Y. Jin, A.F.W.H. Lai. J. Appl. Phys. 91, 258 (2002)
  20. M.I. Vexler, S.E. Tyaginov, J. Shulekin. J. Phys. Cond. Matter 17, 8057 (2005)
  21. A.V. Vishnyakov, Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov. Solid-State Electronics 53, 251 (2009)
  22. K.A. Nasyrov, S.S. Shaimeev, V.A. Gritsenko. J. Appl. Phys. 105, 123 709 (2009)
  23. M.I. Vexler, A. Kuligk, B. Meinerzhagen. Solid-State Electronics 53, 364 (2009)
  24. К.А. Насыров. С.С. Шаймеев, В.А. Гриценко. ЖЭТФ 136, 910 (2009)
  25. И.А. Брытов, Ю.Н. Ромащенко. ФТТ 20, 664 (1978)
  26. V.A. Gritsenko, A.V. Shaposhnikov, W.M. Kwok. Thin Solid Films 437, 135 (2003)
  27. В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Наука, Новосибирск (1993). 280 с
  28. В.А. Гриценко. УФН 178, 727 (2008)
  29. J.-J. Yeh. Atomic Calculation of Photoionization Cross-Section and Asymmetry Parameters. Gordon and Breach Science Publisher, Amsterdam (1993). 314 p
  30. H.R. Philipp. J. Non-Cryst. Solids 32, 1935 (1971)
  31. S.S. Nekrashevich, V.A. Gritsenko. J. Appl. Phys. 110, 114 103 (2011)
  32. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко. УФН 180, 587 (2010)
  33. E. Martinez, F. Yndurane. Phys. Rev. B 24, 5718 (1981)
  34. D. Lohez, M. Lannoo. Phys. Rev. B 27, 5007 (1983)
  35. E.P. O'Reilly, J. Robertson. Phys. Rev. B 27, 3780 (1983)
  36. J.R. Chelikowsky, N. Bingelli. Solid State Commun. 107, 527 (1998)
  37. W.Y. Ching. Phys. Rev. B 26, 6622 (1982)
  38. R.P. Gupta. Phys. Rev. B 32, 8278 (1985)
  39. С.С. Некрашевич, В.А. Гриценко, Р. Клаузер. ЖЭТФ 138, 745 (2010)
  40. Y.P. Li, W.Y. Ching. Phys. Rev. B 31, 2172 (1985)
  41. Г.М. Бартенев, С.М. Бреховских, А.З. Варисов. Изв. АН СССР, Неорган. материалы 6, 1553 (1970)
  42. S. Mukhopadhyay, P.V. Sushko, A.M. Stoneham, A. Shluger. Phys. Rev. B 71, 235 204 (2005)
  43. P.-O. Lowdin. Adv. Quantum Chem. 5, 185 (1970)
  44. N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Materials. Clarendom Press, Oxford (1979). 428 p
  45. H. Fritzshe. J. Non.-Crystalline Solids 6, 49 (1971)
  46. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 397 с
  47. M. Schreiber, Y.A. Toyozawa. J. Phys. Sos. Jpn 51, 1544 (1982)
  48. J.D. Dow, D. Radfield. Phys. Rev. B 5, 594 (1972)
  49. J.D. Jorgensen. J. Appl. Phys. 49, 5473 (1978)
  50. M. Lenzliger, E.H. Snow. J. Appl. Phys. 40, 278 (1969)
  51. Z.A. Weinberg, W.C. Johnson, M.A. Lampert. J. Appl. Phys. 47, 248 (1976)
  52. R.J. Powell, M. Morad. J. Appl. Phys. 49, 2499 (1978)
  53. A.M. Goodman. Phys. Rev. B 152, 780 (1966)
  54. V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B 57, R2081 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme