Изучение диэлектрических свойств монокристалла CdIn₂S₄ < 3 mol.% Cu> в переменных электрических полях частотой f = 5·10⁴ - 3.5·10⁷ Hz позволило установить природу диэлектрических потерь (релаксационные потери, сменяющиеся при высоких частотах потерями сквозного тока). Определено значение инкремента диэлектрической проницаемости Delta varepsilon'=123, а также частоты релаксации f_r = 2.3 · 10⁴ Hz и времени релаксации tau = 43 mus в CdIn₂S₄ <Cu>. Установлено, что легирование монокристалла CdIn₂S₄ медью (3 mol.%) приводит к существенному увеличению диэлектрической проницаемости (varepsilon'), тангенса угла диэлектрических потерь (tgdelta) и ac-проводимости (sigma_ac). При этом частотная дисперсия varepsilon' и tg delta возрастает, а дисперсия sigma_ac уменьшается.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.