Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2014, выпуск 3 » Статья стр. 448
<<<>>>
Электронные возбуждения и люминесценция монокристаллов SrMgF4
Пустоваров В.А.1, Огородников И.Н.1, Omelkov S.I.2, Исаенко Л.И.3, Елисеев А.П.3, Голошумова А.А.3, Лобанов С.И.3, Криницын П.Г.3
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Institute of Physics, University of Tartu, Tartu, Estonia
3Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: igor.ogorodnikov@bk.ru
Поступила в редакцию: 13 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
PDF версия
Методом Бриджмена выращены монокристаллы SrMgF4 и исследована их электронная и кристаллическая структура. Исследование нелегированных монокристаллов SrMgF4 выполнено методом низкотемпературной (T=10 K) люминесцентно-оптической вакуумно-ультрафиолетовой спектроскопии с временным разрешением при селективном возбуждении синхротронным излучением (3.7-36 eV). На основании измеренных спектров отражения и рассчитанных спектров оптических констант впервые определены параметры электронной структуры: минимальная энергия межзонных переходов E_g=12.55 eV, положение первого экситонного максимума En=1= 11.37 eV, положение максимума полосы возбуждения "экситонной" люминесценции при 10.7 eV и положение края фундаментального поглощения при 10.3 eV. Установлено, что возбуждение фотолюминесценции происходит преимущественно в области низкоэнергетического края фундаментального поглощения кристалла, а при энергиях выше E_g передача энергии от матрицы к центрам свечения неэффективна. Миграция экситонов является основным каналом возбуждения полос фотолюминесценции при 2.6-3.3 и 3.3-4.2 eV, прямое фотовозбуждение характерно для фотолюминесценции дефектов при 1.8-2.6 и 4.2-5.5 eV. Работа частично поддержана Министерством образования и науки Российской Федерации (грант N 14.A18.21.0076), Сибирским отделением Российской академии наук (грант N 28), HASYLAB DESY (проект N 20110843), European Social Fund ("Mobilitas", MJD219).
  1. E. Banks, S. Nakajima, M. Shone. J. Electrochem. Soc. 127, 2234 (1980)
  2. Q. Bingyi, E. Banks. Mater. Res. Bull. 17, 1185 (1982)
  3. N. Ishizawa, K. Suda, B.E. Etschmann, T. Oya, N. Kodama. Acta Crystallogr. C 57, 784 (2001)
  4. S.C. Abrahams. Acta Crystallogr. B 58, 34 (2002)
  5. M. Yamaga, K. Itoh, S. Yabashi, Y. Masui, S. Ono, M. Sakai, N. Sarukura. UVSOR Act. Rep. 2003, 57 (2004)
  6. M. Yamaga, E. Hayashi, N. Kodama, K. Itoh, S. Yabashi, Y. Masui, S. Ono, N. Sarukura, T.P.J. Han, H.G. Gallagher. J. Phys.: Cond. Matter. 18, 6033 (2006)
  7. H. Hagemann, F. Kubel, H. Bill, F. Gingl. J. Alloys Compd. 374, 194 (2004)
  8. F. Kubel, H.-R. Hagemann, H. Bill. Mater. Res. Bull. 32, 263 (1997)
  9. Y. Wu, C.-S. Shi. Solid State Commun. 95, 319 (1995)
  10. Y. Wu, C.-S. Shi. Acta Phys. Chim. Sin. 11, 907 (1995)
  11. C. Veitsch, F. Kubel, H. Hagemann. Mater. Res. Bull. 43, 168 (2008)
  12. P. Muller, R. Herbst-Irmer, A.L. Spek, T.R. Schneider, M.R. Sawaya. Crystal Structure Refinement A Crystallographer's guide to SHELXL. Oxford University Press, N.Y. (2006). 312 p
  13. N.E. Kashcheeva, D.Y. Naumov, E.V. Boldyreva. Z. Kristallogr. 214, 534 (1999)
  14. G. Zimmerer. Radiat. Meas. 42, 859 (2007)
  15. V. Lucarini, J.J. Saarinen, K.E. Peiponen, E.M. Vartiainen. Kramers-Kronog Relations in Optical Materials Research. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (2005). 168 p
  16. M. Weissbluth, Atoms and Molecules. Academic Press, N.Y.--San Francisco--London (1978). 713 p
  17. P.W. Milonni, J.H. Eberly. Laser Physics. John Wiley \& Sons, Inc., Hoboken, New Jersey (2010). 831 p
  18. M. Born, E. Wolf. Principles of optics. Pergamon, N.Y. (1980). 808 p
  19. Е.Ф. Гросс. Исследования по оптике и спектроскопии кристаллов и жидкостей: избранные труды. Наука, Л. (1976). 446 с
  20. G.W. Rubloff. Phys. Rev. B 5, 662 (1972)
  21. C. Jouanin, J.P. Albert, C. Gout. J. Phys. France 37, 595 (1976)
  22. A.K.S. Song, R.T. Williams. Self-Trapped Excitons. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, N.Y. (1996). 410 p
  23. K.V. Ivanovskikh, V.A. Pustovarov, B.V. Shulgin. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 543, 229 (2005)
  24. V.N. Kolobanov, V.V. Mikhailin, S.P. Chernov, D.A. Spassky, V.N. Makhov, M. Kirm, E. Feldbach, S. Vielhauer. J. Phys.: Cond. Matter. 21, 6, 375 501 (2009)
  25. L.F. Chen, L. Zhou, K.S. Song. J. Phys.: Cond. Matter. 9, 6633 (1997)
  26. S.C. Buchter, T.Y. Fan, V. Liberman, J.J. Zayhowski, M. Rothschild, E.J. Mason, A. Cassanho, H.P. Jenssen, J.H. Burnett. Opt. Lett. 26, 1693 (2001)
  27. H.H. Li. J. Phys. Chem. Ref. Data 9, 161 (1980)
  28. G.W. Rubloff, J. Freeouf, H. Fritzsche, K. Murase. Phys. Rev. Lett. 27, 361 (1971)
  29. Д. Пайнс. Элементарные возбуждения в твердых телах. Мир, М. (1963). 382 с
  30. V. Kisand, R. Kink, M. Kink, J. Maksimov, M. Kirm, I. Martinson. Phys. Scripta 54, 542 (1996)
  31. W.-D. Cheng, J.-S. Huang, J.-X. Lu. Phys. Rev. B 57, 1527 (1998)
  32. T. Tomiki, T. Miyata. J. Phys. Soc. Jpn. 27, 658 (1969)
  33. M.W. Williams, R.A. MacRae, E.T. Arakawa. J. Appl. Phys. 38, 1701 (1967)
  34. A. Belsky, J.C. Krupa. Displays 19, 185 (1999)
  35. А.Н. Васильев, В.В. Михайлин. Введение в спектроскопию диэлектриков. Янус-К, М. (2000). 415 с
  36. T. Matsumoto, M. Shirai, K. Kan'no. J. Phys. Soc. Jpn. 64, 987 (1995)
  37. I.N. Ogorodnikov, V.A. Pustovarov. J. Luminesc. 134, 113 (2013)
  38. I.N. Ogorodnikov, V.A. Pustovarov. J. Phys.: Cond. Matter. 24, 8, 405 902 (2012)
  39. И.Н. Огородников, В.А. Пустоваров. Письма ЖЭТФ 96, 338 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme