Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование сегнетоэлектрического фазового перехода в кристалле DKDP методом низкочастотного комбинационного рассеяния света
1Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия 
Email: lab21@iae.nsk.su
Поступила в редакцию: 9 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
Низкочастотные спектры комбинационного рассеяния света (КРС) сегнетоэлектрического кристалла DKDP изучены в температурном диапазоне 30-393 K. При температурах выше 150 K в спектрах КРС проявляется центральный пик, отражающий релаксационную восприимчивость кристаллической решетки. Из экспериментальных спектров определены ширина и интегральная интенсивность центрального пика. Критическое замедление времени релаксационного отклика, предсказываемое теорией Гинзбурга-Ландау-Девоншира, наблюдается во всем температурном интервале, где регистрируется центральный пик. Однако интегральная интенсивность не следует предсказанию теории, проявляя резкую температурную зависимость в сегнетофазе и более плавную - в парафазе. Показано, что термоактивационный закон хорошо описывает температурную зависимость интенсивности центрального пика. Предложена интерпретация, в рамках которой интенсивность флуктуаций параметра порядка связана с активационным барьером, высота которого пропорциональна отклонению от температуры фазового перехода. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 06-02-16172) и Фонда междисциплинарных исследований СО РАН. PACS: 77.80.Bh, 63.70.+h, 77.84.Dy, 78.30.-j
- Light scattering near phase transition / Eds H.Z. Cummins, A.P. Levanyuk. North-Holland, Amsterdam (1983). [Рассеяние света вблизи точек фазовых переходов / Под ред. Г.З. Камминза, А.П. Леванюка. Наука, М. (1990). 413 с.]
- M.E. Lines, A.M. Glass. Principles and application of ferroelectrics and related materials. Clarendon Press, Oxford (1977). [М.Е. Лайнс, А.М. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с.]
- Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1983). 240 с
- N.V. Surovtsev, A.M. Pugachev, V.K. Malinovsky, A.P. Shebanin, S. Kojima. Phys. Rev. B 72, 104 303 (2005)
- Н.В. Суровцев, А.М. Пугачев, В.К. Малиновский. ФТТ 48, 1030 (2006)
- А.Г. Кузнецов, В.К. Малиновский, Н.В. Суровцев. ФТТ 48, 2190 (2006)
- K.I. White, W. Taylor, R.S. Katiyar, S.M. Kay. Phys. Lett. 33 A, 175 (1970)
- R.L. Reese, I.J. Fritz, H.Z. Cummins. Phys. Rev. B 7, 4165 (1973)
- E. Litov, E. Uehling. Phys. Rev. B 1, 3713 (1970)
- R.M. Hill, S.K. Ichiki. Phys. Rev. 130, 150 (1963)
- G.L. Paul, W. Cochran, W.J. Buyers, R.A. Cowley. Phys. Rev. B 2, 4603 (1970)
- G.A. Samara. Ferroelectrics 5, 25 (1973)
- Y. Tominaga, Y. Kawahata, Y. Amo. Solid State Commun. 125, 419 (2003)
- Физика сегнетоэлектрических явлений / Под ред. Г.А. Смоленского. Наука, Л. (1985). 396 с
- T. Huser, C.W. Hollars, W.J. Siekhaus, J.De Yoreo, T.I. Suratwala, T. Land. Appl. Spectroscopy 58, 349 (2004)
- V.H. Shmidt, E.A. Uehling. Phys. Rev. 126, 447 (1962)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
