Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость критического радиуса частичных дислокационных петель от энергии дефекта упаковки в полупроводниках

Логинов Ю.Ю.¹, Мозжерин А.В.², Брильков А.В.²

¹Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия Reshetnev Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russia

Reshetnev Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russia

²Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Email: loginov@sibsau.ru

Поступила в редакцию: 15 июля 2013 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано распределение дислокационных петель по размерам в полупроводниках CdTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, CdS, GaAs, Si и Ge. Экспериментальные результаты сравниваются с теоретическими расчетами критических радиусов перехода частичных дислокационных петель в полные с учетом энергии образования дислокационных петель и энергии дефекта упаковки материалов. Показано, что критический радиус зависит от энергии дефекта упаковки и является важной характеристикой при анализе процессов дефектообразования в полупроводниках.

M. Herrera, D. Gonzalez, J.G. Lozano, R. Garcia, M. Hopkinson, H.Y. Liu, M. Gutierrez, P. Navaretti. J. Appl. Phys. 98, 023 521 (2005)
С.Н. Вотинов, О.П. Максимкин. Вопр. атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение 3(81), 23 (2002)
F. Ebrahimi, Z. Ahmed, H. Li. Appl. Phys. Lett. 85, 3749 (2004)
Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga. J. Appl. Phys. 108, 073 514 (2010)
Ю.Ю. Логинов, П. Браун, К. Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A₂B₆. Логос, М. (2003). 304 с
С. Амелинкс. Методы прямого наблюдения дислокаций. Мир, М. (1968). 440 с
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/
И.В. Горичок. ФТТ 54, 1373 (2012)
http://www.elektrosteklo.ru/Crystals.htm
S. Takeuchi, K. Suzuki, K. Maeda, H. Iwanaga. Phil. Mag. A 50, 171 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель