Для вычисления характеристик эпитаксиального графена предложены модели энергетической плотности состояний металлической и полупроводниковой подложек, не приводящие в дальнейшем к расходимостям. Показано, что скорость Ферми для эпитаксиального графена, сформированного на металле, увеличивается по сравнению со свободным графеном независимо от положения уровня Ферми. Скорость Ферми графена, сформированного на полупроводниковой подложке, наоборот, уменьшается, причем тем больше, чем ближе уровень Ферми к центру запрещенной зоны полупроводника. Статическая проводимость эпитаксиального графена при нулевой температуре sigma вычислялась по формуле Кубо-Гринвуда. Показано, что для недопированного графена на металле величина sigma_m убывает с отклонением точки Дирака varepsilon_D (совпадающей с уровнем Ферми системы) от центра зоны проводимости подложки. Для полупроводниковой подложки статическая проводимость sigma_sc оказывается отличной от нуля и равна sigma_sc=2e²/pih только при выполнении условия varepsilon_F=varepsilon'_D, где varepsilon'_D - перенормированная за счет взаимодействия с подложкой энергия точки Дирака. Работа выполнена в рамках программ Президиума РАН "Квантовая физика конденсированных сред" и "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов" и поддержана грантами РФФИ (проекты N 11-02-00662а и 12-02-00165а).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.