Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Окисление поверхности пористого кремния при воздействии импульсного ионного пучка: исследования методами XPS и XANES
1Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия 
Email: korusenko@obisp.oscsbras.ru
Поступила в редакцию: 16 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и анализа ближней тонкой структуры поглощения (XANES) с использованием синхротронного излучения получены данные об изменении электронной структуры и фазового состава пористого кремния под действием импульсных ионных пучков. Выполнен анализ спектров фотоэмиссии остовных уровней Si2p и O1s для различных углов сбора фотоэлектронов, валентной зоны, а также спектров ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения в области Si L2,3-краев исходных и облученных образцов. Установлено, что в результате облучения на поверхности пористого кремния формируется тонкая оксидная пленка, представленная преимущественно высшим оксидом SiO2, что приводит к увеличению запрещенной зоны оксида кремния. Такая пленка обладает пассивирующими свойствами, препятствующими деградации состава и свойств пористого кремния при контакте с окружающей средой. Работа выполнена в рамках двухсторонней программы "Российско-Германская лаборатория BESSY" при частичной поддержке грантов РФФИ N 12-08-98047-р_Сибирь_а и 12-08-98043-р_Сибирь_а.
- H. Saha. Int. J. Smart Sensing Intelligent Systems 2, 34 (2008)
- G. Amato, L. Boarino, F. Bellotti. Appl. Phys. Lett. 85, 4409 (2004)
- В.В. Болотов, П.М. Корусенко, С.Н. Несов, С.Н. Поворознюк, В.Е. Росликов, Е.А. Курдюкова, Ю.А. Стенькин, Р.В. Шелягин, Е.В. Князев, В.Е. Кан, И.В. Пономарева. ФТП 45, 5, 702 (2011)
- А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев, М.С. Смирнов, Э.П. Домашевская. ЖТФ 82, 2, 150 (2012)
- В.В. Болотов, В.Е. Росликов, Е.А. Росликова, К.Е. Ивлев, Е.В. Князев, Н.А. Давлеткильдеев. ФТП 48, 3, 412 (2014)
- Л.М. Сорокин, В.И.Соколов, А.П. Бурцев, А.Е. Калмыков, Л.В. Григорьев. Письма в ЖТФ 33, 24, 69 (2007)
- В.В. Болотов, В.С. Ковивчак, А.А. Корепанов, Е.В. Князев, С.Н. Несов, В.Е. Росликов, Ю.А. Стенькин, П.М. Корусенко, Р.В. Шелягин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 12, 64 (2011)
- А.А. Корепанов, В.В. Болотов, К.Е. Ивлев, П.М. Корусенко, Д.В. Чередов. Тез. докл. IV Всерос. конф. "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Новосибирск (2012). С. 112
- Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко. ФТТ 54, 3, 465 (2012)
- S. Basu. Crystalline Silicon --- Properties and Uses. InTech (2011). P. 23--42
- M.J. Sailor. Porous silicon in practice: preparation, characterization and applications. Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA.(2012). P. 42
- J.L. Alay, W. Vandervorst. J. Vac. Sci. Technol. A 12, 4, 2420 (1994)
- M. Kasrai, W.N. Lennard, R.W. Brunner, G.M. Bancroft, J.A. Bardwell, K.H. Tan. Appl. Surf. Sci. 99, 303 (1996)
- С.Ю. Турищев, В.А. Терехов, Д.А. Коюда, К.Н. Панков, А.В. Ершов, Д.А. Грачев, А.И. Машин, Э.П. Домашевская. ФТП 47, 10, 1327 (2013)
- Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, Э.Ю. Мануковский, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых, А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков. ФТТ 46, 2, 335 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
