Влияние температурной обработки на микроструктуру, электрические и оптические свойства тонких пленок SnS
Башкиров С.А.1,2, Гладышев П.П.1, Гременок В.Ф.2, Иванов В.А.2
1Международный университет природы, общества и человека "Дубна", Дубна, Россия
2НПЦ НАН Белоруссии по материаловедению, Минск, Белоруссия
Email: bashkirov@physics.by
Поступила в редакцию: 16 января 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
Исследовано влияние температурной обработки на микроструктуру, электрические и оптические свойства пленок SnS, полученных методом "горячей стенки". Установлено, что температурная обработка не приводит к образованию посторонних фаз в составе пленок. Средняя шероховатость пленок после температурной обработки увеличивается с 10 до 20 nm. Удельное сопротивление в результате температурной обработки уменьшается от значений порядка 230 до 100 Omega·cm (T = 300 K), температурный коэффициент термоэдс возрастает от 40 до 330 muV·K-1. Ширина запрещенной зоны составляет 1.46 eV. Положение края поглощения не смещается после температурной обработки. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований.
- K.T.R. Reddy, N.K. Reddy, R.W. Miles. Solar Energy Mater. Solar Cells 90, 3041 (2006)
- M. Gunasekaran, M. Ichimura. Solar Energy Mater. Solar Cells 91, 774 (2007)
- D. Avellaneda, M.T.S. Nair, P.K. Nair. Thin Solid Films 517, 2500 (2009)
- J. Malaquias, P.A. Fernandes, P.M.P. Salome, A.F. da Cunha. Thin Solid Films 519, 7416 (2011)
- S.A. Bashkirov, V.F. Gremenok, V.A. Ivanov, V.V. Lazenka, K. Bente. Thin Solid Films 520, 5807 (2012)
- A. Schneikart, H.J. Schimper, A. Klein, W. Jaegermann. J. Phys. D 46, 305 109 (2013)
- P. Sinsermsuksakul, K. Hartman, S.B. Kim, J. Heo, L. Sun, H.H. Park, R. Chakraborty, T. Buonassisi, R.G. Gordon. Appl. Phys. Lett. 102, 053 901 (2013)
- J.J. Loferski. J. Appl. Phys. 27, 777 (1956)
- K.T.R. Reddy, P.P. Reddy. Mater. Lett. 56, 108 (2002)
- A. Tanusev ski. Semicond. Sci. Technol. 18, 501 (2003)
- M. Devika, N. Reddy, K. Ramesh, K. Gunasekhar, E. Gopal, K. Reddy. Semicond. Sci. Technol. 21, 1125 (2006)
- С.А. Башкиров, В.Ф. Гременок, В.А. Иванов. ФТП 45, 765 (2011)
- S.A. Bashkirov, V.V. Lazenka, V.F. Gremenok, K. Bente. J. Adv. Microscopy Res. 6, 153 (2011)
- С.А. Башкиров, В.Ф. Гременок, В.А. Иванов, В.В. Шевцова. ФТТ 54, 2180 (2012)
- А. Lopez-Otero. Thin Solid Films 49, 3 (1978)
- H.R. Chandrasekhar, R.G. Humphreys, U. Zwick, M. Cardona. Phys. Rev. B. 15, 2177 (1977)
- J.D. Wiley, W.J. Buckel, R.L. Schmidt. Phys. Rev. B. 13, 2489 (1976)
- J.C. Manifacier, J. Gasiot, J.P. Fillard. J. Phys. E 9, 1002 (1976)
- R. Swanepoel. J. Phys. E 16, 1214 (1983)
- D. Poelman, P.F. Smet. J. Phys. D 36, 1850 (2003)
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. Мир, М. (1973). 458 c
- C. Cifuentes, M. Botero, E. Romero, C. Calderon, G. Gordillo. Brazilian J. Phys. 36, 1046 (2006)
- M. Sugiyama, K. Miyauchi, T. Minemura, K. Ohtsuka, K. Noguchi, H. Nakanishi. Jpn J. Appl. Phys. 47, 4494 (2008)
- Z. Zainal, S. Nagalingam, T.M. Hua. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 16, 281 (2005)
- M. Calixto-Rodriguez, H. Martinez, A. Sanchez-Juarez, J. Campos-Alvarez, A. Tiburcio-Silver, M. Calixto. Thin Solid Films 517, 2497 (2009)
- M. Devika, N.K. Reddy, D.S. Reddy, S.V. Reddy, K. Ramesh, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar, V. Ganesan, Y.B. Hahn. J. Phys.: Cond. Matter 19, 306 003 (2007)
- M. Devika, N.K. Reddy, K. Ramesh, H.R. Sumana, K.R. Gunasekhar, E.S.R. Gopal, K.T.R. Reddy. Semicond. Sci. Technol. 21, 1495 (2006)
- M. Devika, K.T.R. Reddy, N.K. Reddy, K. Ramesh, R. Ganesan, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar. J. Appl. Phys. 100, 023 518 (2006).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук