Экситонная фаза с переносом заряда в ионных полупроводниках --- связь с переходом в суперионное состояние
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.
Показана возможность возникновения экситонной фазы с переносом заряда в некоторых кристаллических галогенидах Сu и Ag при промежуточных температурах. В этой фазе существуют многоямные потенциалы для ионов, что при определенных условиях приводит к переходу кристалла в суперионное состояние. Предсказан эффект индуцирования суперионного перехода оптической накачкой.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.