Методом люминесцентной и абсорбционной спектроскопии с временным разрешением исследовано влияние плотности электронного импульсного возбуждения (t_и=10^-8 с, P=10⁵/10⁸ Вт·см^-2), на эффективность образования eta_э двухгалоидных автолокализованных экситонов (ДАЛЭ) и F-центров (eta_F) в щелочно-галоидных кристаллах CsI, CsBr, КВr, KI. Установлено, что для всех изученных систем увеличение мощности P электронного пучка (ЭП) от 10⁵ до 5·10⁷ Вт·см^-2 приводит к существенному снижению эффективности создания и выхода свечения ДАЛЭ. В условиях, когда импульсным облучением в кристаллах наводятся преимущественно F-центры окраски, выход F-центров не зависит от P. В случае, если F-центры и ДАЛЭ создаются в сопоставимых количествах (кристалл CsBr, T=80 K), снижение eta_э с ростом P сопровождается увеличением eta_F. Полученные данные интерпретируются в рамках представлений о том, что тип наводимых при фиксированной температуре дефектов (F-центров либо ДАЛЭ) определяется колебательным состоянием автолокализующейся дырки (V_k-центра) к моменту электронного захвата. Снижение эффективности образования и выхода свечения ДАЛЭ с ростом P связывается с возрастанием вероятности безызлучательной электронной рекомбинации с колебательно-нерелаксированными двухгалоидными дырками.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.