Исследована фоточувствительность нолевой электронной эмиссии InSb. Для катодов из n-InSb обнаружено уменьшение эмиссионного тока при освещении в отличие от обычной фоточувствительности полупроводниковых эмиттеров. Закономерности обнаруженного эффекта позволяют связать его с двумерным квантованием электронного газа в приповерхностной области антимонида индия в условиях отбора эмиссионного тока. Приводятся данные численного расчета энергетического спектра электронов в приповерхностной области полупроводника, подтверждающие предложенную интерпретацию обнаруженного эффекта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.