Об осцилляции электростатического потенциала в полупроводниках при экранировании внешнего электрического поля неравновесными носителями заряда
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.
В приближении Хартри рассмотрена задача об экранировании внешнего электрического поля в полупроводниках при наличии в объеме полупроводника неравновесных носителей заряда. Показано, что в этих условиях плотность заряда и электростатический потенциал вблизи поверхности осциллируют с уменьшающейся амплитудой и возрастающим периодом.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.